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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Traps Atomic force microscopy AlGaN/GaN MBE Schottky barrier diode Defects Excitons Millimeter-wave power density High electron mobility transistor Electrical properties and parameters Nanostructures Cathodoluminescence Doping Silicon carbide InGaN Graphene Chemical vapor deposition processes High electron mobility transistors Silicon Free-standing GaN Compressive stress Al Zinc oxide 6H-SiC Semiconductors AlGaN Épitaxie CVD Atom probe tomography 3C–SiC LED Molecular beam epitaxy HEMT Transistor CRYSTALS Optical properties ZnO Boîtes quantiques Bullseye antennas Characterization Tunnel junction Épitaxie par jets moléculaires III-N Semiconducteurs Nanoparticles Metasurface GaN HEMT Strong coupling AlGaN/GaN HEMT III-nitride semiconductors Light emitting diodes Metalens Diodes électroluminescentes Holography Diffraction AlN Metasurfaces Heterostructures Gallium nitride Nitrures d'éléments III Creep Epitaxy Boron nitride DLTFS GaN-on-Si Microcavity Spectroscopy Nitrure de gallium Silica Photoluminescence Microscopie électronique en transmission LEDs LPCVD Electron holography Transmission electron microscopy Normally-off Croissance Aluminum nitride Quantum dots Nanowire Caractérisation Coalescence Quantum wells Group III-nitrides High electron mobility transistor HEMT Bond order wave Dislocations III-nitrides Contraintes Molecular beam epitaxy MBE Bending 2D materials Chemical vapor deposition Aluminum gallium nitride Silicium GaN MOCVD Nitrides Gallium nitride GaN Selective area growth